Новые IGBT-модули S-серии на напряжение 1200В для низкочастотных исполнений от компании STMicroelectronics
Компания STMicroelectronics выпустила новые IGBT-модули S-серии на напряжение 1200В, отличительной особенностью которых является очень низкое напряжение насыщения (Uкэ) и высокая эффективность работы на частотах до 8 кГц.
На сегодняшний день новые IGBT-модули S-серии от компании STMicroelectronics являются единственными модулями на рынке IGBT класса напряжения 1200В, обладающими столь низким уровнем напряжения насыщения. Напряжение насыщения IGBT-модуля является одним из важнейших параметров при разработке устройства, поскольку оно позволяет рассчитать потери транзистора в открытом состоянии. Таким образом, чем ниже напряжение насыщения, тем ниже будут потери и соответственно меньшего размера радиатор необходимо применить в устройстве, снижая, тем самым, габариты устройства в целом. К тому же отслеживание этого параметра является одним из известных методов выявления КЗ. Контролируя напряжение насыщения, можно выявить перегрузку по току.
Сравним IGBT-модули S-серии с аналогами других компаний, а именно напряжение насыщения при различных температурах:
IGBT-модуль на 1200 В, 25 А
| Производитель/ Компонент | Параметры IGBT-модуля | Условия испытаний | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ, В | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max. | |||
| ST Microelectronics STGW25S120DF3 |
1200 V, 25 A | VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 25 °C | - | 1,6 | 2,1 |
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 125 °C | - | 1,8 | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 175 °C | - | 1,9 | - | ||
| IXYS IXSH25N120AU1 |
1200 V, 25 A | VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 25 °C | - | - | 4,0 |
| - | - | - | - | ||
| - | - | - | - | ||
| International Rectifier IRG7PH35UD1PbF |
1200 V, 25 A | VGE = 15V, IC = 20A, TJ = 25°C | - | 1,9 | 2,2 |
| VGE = 15V, IC = 20A, TJ = 150°C | - | 2,3 | - | ||
| - | - | - | - | ||
| Infineon IGW25T120 |
1200 V, 25 A | VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 25 °C | - | 1,7 | 2,2 |
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 125 °C | - | 2,0 | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 150 °C | - | 2,2 | - | ||
| Fairchild Semiconductor FGH25T120SMD |
1200 V, 25 A | VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 25 °C | - | 1,8 | 2,4 |
| - | - | - | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 175 °C | - | 1,9 | - | ||
| Taiwan Semiconductor TSG25N120CN |
1200 V, 25 A | VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 25 °C | - | 1,9 | 2,5 |
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 125 °C | - | 2,2 | - | ||
| - | - | - | - | ||
IGBT-модуль на 1200 В, 40 А
| Производитель/ Компонент | Параметры IGBT-модуля | Условия испытаний | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ, В | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max. | |||
| ST Microelectronics STGW40S120DF3 |
1200 V, 40 A | VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 25 °C | - | 1,65 | 2,15 |
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 125 °C | - | 1,9 | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 25 A, TJ = 175 °C | - | 2,05 | - | ||
| IXYS IXYH40N120B3 |
1200 V, 40 A | VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 25 °C | - | 2,4 | 2,9 |
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 150 °C | - | 3,1 | - | ||
| - | - | - | - | ||
| International Rectifier IRGPS40B120UDP |
1200 V, 40 A | VGE = 15V, IC = 40A, TJ = 25°C | - | 3,12 | 3,40 |
| VGE = 15V, IC = 40A, TJ = 125°C | - | 3,88 | 4,30 | ||
| - | - | - | - | ||
| Infineon IGW40N120H3 |
1200 V, 40 A | VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 25 °C | - | 2,05 | 2,4 |
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 125 °C | - | 2,5 | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 175 °C | - | 2,7 | - | ||
| Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD |
1200 V, 40 A | VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 25 °C | - | 1,8 | 2,4 |
| - | - | - | - | ||
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 175 °C | - | 2 | - | ||
| Taiwan Semiconductor TSG40N120CE |
1200 V, 40 A | VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 25 °C | - | 2 | 2,8 |
| VGE = 15 V, IC = 40 A, TJ = 125 °C | - | 2,5 | - | ||
| - | - | - | - | ||
Анализируя эти две таблицы, делаем вывод, что IGBT-модули S-серии от компании ST Microelectronics имеют наименьшее напряжение насыщения, а также следует отметить, что не каждый из производителей может обеспечить столь широкий температурный диапазон эксплуатации IGBT-модулей (-55…+175 0С). Таким образом, IGBT-модули S-серии от компании ST Microelectronics найдут достойное применение в сварочном оборудовании, драйверах, в солнечных батареях, в источниках бесперебойного питания и во многих других устройствах.
Получить более подробную информацию по продукции STMicroelectronics вы можете, обратившись:
E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Телефон: (343) 372-92-30
Задать вопрос техподдержке вы можете на нашем форуме.
