- Главная
- Форум
- О компании
- Новости компании
- Транзистор SCT30N120 по технологии SIC MOSFET
Транзистор SCT30N120 по технологии SIC MOSFET
Компания STMicroelectronics выпустила силовой транзистор SCT30N120, который способен обеспечивать управление нагрузкой с напряжением - 1200В, и током - 45 А. Отличительной особенностью транзистора SCT30N120, выполненного по технологии SIC MOSFET, от аналогичных MOSFET транзисторов, является низкое сопротивление Ron(typ.) < 80mΩ и возможность работы при высокой температуре - до 200 град.С.
Сравнительные особенности силовых транзисторов разных типов
Зависимость сопротивления от температуры
На графике сравнительных характеристик можно заметить, что транзистор SCT30N120 будет сохранять малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоком напряжении, поэтому его с успехом можно рекомендовать для применения в тяжелых условиях эксплуатации с повышенной температурной нагрузкой.
Получить более подробную информацию вы можете, обратившись:
E-mail:Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Телефон: (343) 372-92-30