Революционно новые MOSFET транзисторы на карбиде кремния (SiC) от компании STMicroelectronics

Современный рынок силовой электроники с каждым годом все больше отдаёт предпочтение компонентам, выполненным на карбиде кремния (SiC). Этот факт отражается как в зарубежных, так и в отечественных публикациях. Оно и понятно, ведь физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs), а именно:

• Электрическая прочность SiC в 10 раз выше, чем у Si и GaAs;
• Удельное сопротивление материала SiC, значительно ниже;
• Высокая радиационная стойкость;
• Высокая теплопроводность компонентов на SiC;
• Крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещённой зоны;
• Высокое быстродействие;
• Высокие допустимые рабочие температуры;
• Сверхмалый заряд обратного восстановления антипараллельного диода.

Компания STMicroelectronics, которая является одним из лидеров по производству и разработке электронных компонентов, не прошла мимо этого материала, разработав революционно новые MOSFET транзисторы SCT30N120 и SCT20N120, параметры которых выводят эту линейку компонентов на совершенно новый уровень.

Основные особенности этих транзисторов:

• ­Весьма низкие потери как при нормальных температурах, так и при высоких (до 175 °С).
  Поскольку режимы переключения MOSFET очень похожи на режимы переключения IGBT транзисторов, благодаря аналогичной структуре затвора, а также в некоторых случаях IGBT и MOSFET являются взаимозаменяемыми, есть основание для качественной оценки нового MOSFET транзистора компании STMicroelectronics с IGBT. Сравнивая, к примеру, MOSFET транзистор SCT30N120 с транзистором IGBT, видим, что выделяемая энергия при включении и выключении у транзистора SCT30N120 ниже, чем у IGBT и менее зависима от рабочей температуры.
  

  

• Высокие рабочие температуры до 200 °С;
• Уменьшенные габариты (корпусов) при аналогичных параметрах;
• Простота схемы управления;
• Высокая эффективность работы при частотах до 100 кГц и мощности до 5 кВт в отличии от IGBT и JFET:

Компания STMicroelectronics это одна из немногих компаний, которая ведет разработки MOSFET транзисторов на основе карбида кремния и является одной из лучших, благодаря полученным значениям сопротивления канала относительно температуры.

Высокая эффективность работы при мощности до 5 кВт и на частотах 100 кГц, широкий диапазон рабочих характеристик, простота схемы управления и уменьшенные габариты при сопоставимых параметрах по сравнению с аналогичными компонентами, позволяют использовать MOSFET транзисторы на карбиде кремния при разработке электроприводов, в энергосетях “smart-grid”, в инверторах электромобилей, в системах солнечной и ветровой энергетики.

Получить более подробную информацию по продукции STMicroelectronics вы можете, обратившись:

E-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Телефон: (343) 372-92-30

Задать вопрос техподдержке вы можете на нашем форуме.