21.10.2014

Транзистор SCT30N120 по технологии SIC MOSFET

Компания STMicroelectronics выпустила силовой транзистор SCT30N120, который способен обеспечивать управление нагрузкой с напряжением - 1200В, и током - 45 А. Отличительной особенностью транзистора SCT30N120, выполненного по технологии SIC MOSFET, от аналогичных MOSFET транзисторов, является низкое сопротивление Ron(typ.) < 80mΩ и возможность работы при высокой температуре - до 200 град.С.

 image001Сравнительные особенности силовых транзисторов разных типов

image003

Зависимость сопротивления от температуры

     На графике сравнительных характеристик можно заметить, что транзистор SCT30N120 будет сохранять малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоком напряжении, поэтому его с успехом можно рекомендовать для применения в тяжелых условиях эксплуатации с повышенной температурной нагрузкой.

 

Получить более подробную информацию вы можете, обратившись:

E-mail:Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Телефон: (343) 372-92-30

Теги Stm